Новое поколение наноструктурных запоминающих устройств

20.03.2013 Hi-tech

В отечественный информационный век повышение возможностей хранения громадных количеств информации делается одной из центральных задач для технологии и современной науки. Несколько германских и итальянских ученых добились новых результатов в развитии концепции «наноструктурных запоминающих устройств»

В работе, опубликованной сравнительно не так давно в издании Angewandte Chemie сообщается о успешных испытаниях и создании нано-устройств, изготовленных на кварцевой подложке из материала со спиновым переходом (Micro- and Nanopatterning of Spin-Transition Compounds into Logical Structures). Эта работа разрешает сказать о происхождении нового поколения молекулярных запоминающих устройств, в которых бинарная совокупность памяти основана на «переключении» спиновых состояний электронов.

Современные компьютерные твёрдые диски сохраняют данные на магнитной поверхности вращающегося диска. Любая ячейка памяти имеет собственный «адрес» чтобы возможно было напрямую обратиться к ней.Новое поколение наноструктурных запоминающих устройств Повышение емкости магнитного диска достигается за счет уменьшения размеров личных магнитных доменов, но современная разработка уже приближается к физическим пределам миниатюризации для того чтобы вида носителя информации.

Дело в том, что температурные флуктуации смогут вызвать перемещение и благодаря этого изменение ориентации магнитных частиц, а вдруг магнитный домен мал, то и вовсе размагнитить его.

Наровне с применением разных подходов для усовершенствования магнитных носителей информации ученые ищут другие особенности материалов, талантливые нести ответственность за «переключение» состояний. Одним из таких особенностей есть спиновый переход, что, к примеру, отмечается в соединениях двухвалентного железа: высоко-спиновое или низко-спиновое состояние смогут наблюдаться в зависимости от температуры, давления, действия электромагнитного излучения.

Кроме четко различимых состояний «0» и «1» для хранения информации требуется кроме этого, дабы оптическое считывающее либо записывающее устройство имело возможность идентифицировать местонахождение каждой ячейки памяти. Это указывает, что наноразмерные молекулярные переключения спиновых состояний должны быть различимы посредством микро-размерного внешнего инструмента. Для того чтобы результата возможно достигнуть, поместив соединения, каковые владеют свойством к спиновым переходам, в матрицу с высоко организованной нано- либо микро-структурой.

Ученые нанесли узкие линии из нейтрального комплекса железа (II) на кремниевую пластину – для этого использовались особые микро- и нанолитографические способы – в следствии «напечатанные» нанокристаллы выстраивались в определенной ориентации на протяжении этих линий. Кроме этого ученым удалось переписать данные с CD-носителя на пленку из этого соединения железа. Так было получено первое подтверждение возможности создания читаемых логических схем на базе материалов со спиновыми переходами.

Для удобства применения обрисованных структур принципиально важно приспособить свойства спинового перехода к комнатным температурным условиям, и ученые уже приступили к ответу данной задачи.

Мария Костюкова

Случайные записи:

GTX 1080. Нужно ли разгонять оперативную память с Pascal?


Похожие статьи, которые вам понравятся: