Интересные темы:

Гаджеты

Немного интересного:

Новый способ нанесения рисунка на кремниевых подложках

20.11.2009 Hi-tech

Миниатюризация компонентов процессоров может быт достигнута двумя способами: так называемыми top-down и bottom-up подходами в проектировании. В способах top-down методом улучшения и оптимизации разработки создают интегральные схемы все меньшего и меньшего размера если сравнивать с базисной разработкой получения рисунка. Способы bottom-up основаны на сборке блоков молекулярного размера для изготовления необходимиого рисунка микросхемы.

В совершенном случае совмещают оба способа для получения мельчайших размеров интегральных схем. Один из перспективных bottom-up способов разрешает приобретать линии молекулярной толщины (и картинки) при химической реакции между атомами и определёнными молекулами на поверхности подложки. Главная неприятность наряду с этим- контроль направлений, в которых эти линии развиваются.

Большая часть процессоров изготавливают из кремния, соответственно, методы нанесения картинок на поверхности кремниевых подложек имеют первостепенную важность. В статье, размещённой в издании Journal of the American Chemical Society (Md.Новый способ нанесения рисунка на кремниевых подложках Zakir Hossain, Hiroyuki S. Kato and Maki Kawai. Self-Directed Chain Reaction by Small Ketones with the Dangling Bond Site on the Si(100)-(2 ? 1)-H Surface: Acetophenone, A Unique Example,– J. Am. Chem.

Soc., 2008, 130 (34), pp. 11518–11523; DOI: 10.1021/ja8033944), исследователи из японского научно-иследовательского университета передовых разработок RIKEN продемонстрировали, что химическая реакция одиночного соединения – несложного ароматическог кетона – ацетофенона (C6H5C(O)CH3) с поверхностью кремниевой подложки может привести к выращиванию прямых линий из молекул.

Поверхность кремния содержит пары атомов кремния, известные как димеры, каковые ориентированы в параллельные последовательности. В свое время было продемонстрировано, что разные молекулы смогут вырабатывать прямые линии при реакции с поверхностью кремниевых образцов. Такие прямые линии рисунка были взяты как на протяжении димерных последовательностей, так и перпендикулярно им.

Принципиально важно подчернуть, что сейчас направления выращивания этих линий зависело лишь от молекулы, вступающей в реакцию с поверхностью кремниевой подложки.

Поверхность кремния подготавлена благодаря реакции с атомарным водородом, которая результируется в водородные химические связи фактически по всей поверхности. Однако, кое-какие атомы кремния не вступают в реакцию с водородом, образуя так именуемые «повисшие связи» (dangling bond sites), каковые сами по себе весьма реактивны. Молекула ацетофенона вступает в реакцию с повисшей связью, но наряду с этим образуется повисшая сообщение в соседнем димере кремния.

Так, формируется цепная реакция, которая формирует молекулярную линию на поверхности. Направление, в котором линии молекул продвигаются, зависит от того, где образуется повисшая сообщение в димере кремния – в том же самом последовательности либо в параллельном последовательности.

Потому, что расстояния между димерами кремния в одном последовательности и расстояния между последовательностями разны, соответственно, имеет место отличие в энергии, потребляемой двумя видами вероятного роста линии. Геометрия молекулы ацетофенона такова, что он может содействовать росту линий в любом направлении. Исходя из этого при нанесении рисунка на подложку серьёзным делается создание хиральности (отсутствия симметрии), которое разрешает руководить процессом в двух направлениях, что может оказаться весьма перспективным в разработке разработки.

Евгений Биргер

Случайные записи:

Перенос рисунка с компьютера на металл.


Похожие статьи, которые вам понравятся:

Tags:  , , ,