Представлена новая технология изготовления элементов на базе арсенида галлия

Инженеры из америки и Республики Корея показали методику создания структуры, составленной из перемежающихся арсенида арсенида и слоёв алюминия галлия, и переноса последних на подложки, выполненные из разных материалов.

Схематическое и настоящие изображения квадратных арсенид-галлиевых солнечных элементов с длиной стороны в 500 мкм, изготовленных на полиэтилентерефталатовой (ПЭТ) подложке (тут и потом иллюстрации из издания Nature).

Арсенид галлия GaAs заметно превосходит кремний по многим показателям, в частности по эффективности преобразования и поглощения энергии излучения, но распространение этого составного полупроводника ограничивает его большая цена. При создании слоя отличного GaAs нужно выдерживать строго определённые условия, причём большая часть материала на взятых «толстых» полупроводниковых пластинах просто не употребляется.

Авторы находились на одной пластине сходу пара слоёв арсенида галлия, чередующихся со слоями AlAs. При обработке раствором кислоты арсенид алюминия частично удаляется, а слои GaAs по одному переносятся на требуемую подложку посредством силиконовой «печати». «Это разрешает снизить временные затраты и стоимость на получение громадных количеств материала», — уверяет один из участников изучения Джон Роджерс (John Rogers) из Иллинойского университета в Урбане и Шампейне.

Дабы показать возможности собственной методики, авторы изготовили опытные образцы арсенид-галлиевых фотогальванических элементов на пластиковой базе, полевых транзисторов на подложке из массивов и стекла фотодетекторов ближнего ИК-диапазона на кремнии. Продвижением разработки занимается компания Semprius, в совет директоров которой входит господин Роджерс.

«Самым перспективным направлением нам думается изготовление солнечных элементов: тут составные полупроводники ранее не могли соперничать с кремнием», — заключает Джон Роджерс.

Схема слоистой структуры, её изображение по окончании частичного удаления слоёв арсенида алюминия и фотография взятых авторами миниатюрных солнечных элементов.

Полевые транзисторы на стеклянной подложке, покрытой полиимидом (ПИ). И — исток, З — затвор, С — сток.

Фотодетектор ближнего ИК-диапазона на кремниевой пластине, покрытой фотоотвердеваемым полиуретаном (ПУ), и пример формируемого изображения. Внизу — схема опыта.

Полная версия отчёта размещена в издании Nature.

Подготовлено по данным Nature News.

20 мая 2010 года, 20:37
Текст: Дмитрий Сафин

Случайные записи:

• Детский технопарк кванториум площадью более 1000 м? открыт в москве
• Технология лазерно-ультразвуковой структуроскопии поможет следить за качеством 3d-печатных изделий

2014.11.27 В «ИСС» разработаны солнечные батареи нового типа

Похожие статьи, которые вам понравятся:

• Плазмоны в электронной жидкости — новая концепция для логических элементов

  Компьютеры будущего будут трудиться не на электронах, а на волнах, распространяющихся по электронной «жидкости». Новую концепцию устройства электроники…

• Новый mercedes на водородных топливных элементах может появиться в 2017 году

  Отсутствие инфраструктуры сдерживает развитие водородного транспорта. Но, ясно, что без наличия на дорогах аналогичных машин инфраструктура не покажется….

• Представлен новый тип чернил для цветной печати

  Несколько исследователей из Сеульского национального университета (Республика Корея) и Калифорнийского университета в Риверсайде (США) создала разработку…

• Структурная батарея как элемент автомобильного кузова

  Как мы знаем, электромобили показались на свет раньше бензиновых авто. Но последние заняли позицию лидера среди механического транспорта ввиду более…