Самый быстрый в мире графеновый транзистор

12.04.2017 Наука и жизнь

Ученые IBM показали транзистор на базе графена, что трудится на рекордной граничной частоте.

Графен – материал, воображающий собой особенную форму углерода. Онсостоит из монослоя атомов углерода, «упакованных» в гексагональную структуру (подобную сотам). В первый раз графен был взят в 2006 году в следствии совместных изучений Института Университета физики и учёных Манчестера жёсткого тела РАН в Черноголовке.

Данный двумерный материал владеет неповторимыми электрическими, оптическими, механическими и тепловыми особенностями и сходу начал рассматриваться в качествесерьезного претендента для пост-кремниевой электроники. Способы литографического формирования картинок, используемые на графене, разрешают избежать неприятностей совмещения слоев – активные и межсоединения и пассивные элементы смогут быть взяты при помощи формирования рисунка в одном графеновом слое. Возможность создания на базе графена сверхвысокочастотных транзисторов определяется тем, что в этом материале электроны движутся с высокими скоростями.Самый быстрый в мире графеновый транзистор

‹ ›

Как сообщается в только что вышедшей статье в издании Science, исследователи корпорации IBM создали наноразмерный транзистор на базе графена, что трудится с граничной частотой100 млрд. рабочих циклов в секунду либо 100 ГГц – ранее такая частота графенового полупроводникового элемента не достигалась.

В прошлых работах исследователи IBM установили, что рабочая частота графенового транзистора зависит от его размера, другими словами чем меньше размер, тем выше частота. Сегодняшний рекордный показатель тактовой частоты был достигнут при применении эпитаксиального графенового элемента, изготовленного по разработке, используемой в современном передовом производстве кремниевых полупроводниковых устройств.

«Это громадное достижение, которое убедительно демонстрирует, что графен может с успехом употребляться для высокопроизводительных интегральных микросхем и устройств», — выделил врач Т-Ч. Чен (T. C. Chen), вице-президент подразделения IBM Research по технологиям и науке.

Однородные и отличные графеновые пластины были взяты методом термического разложения подложки из карбида кремния (SiC). В графеновом транзисторе употребляется архитектура с верхним размещением железного затвора и изолирующий затвор, складывающийся из оксида и полимера с высокой диэлектрической проницаемостью. Протяженность затвора в 240 нм оставляет резерв для предстоящей оптимизации транзистора.

Любопытно, что рабочая частота графенового элемента уже превышает граничную частоту современных кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора (~ 40 ГГц).

Близкая производительность была достигнута для элементов на базе графена, взятого из природного графита. Это обосновывает, что высокой производительностью смогут обладатьэлементы из графена, взятого различными методами.

Создатель: www.nkj.ru

Случайные записи:

Графеновый полевой транзистор


Похожие статьи, которые вам понравятся: