Создан первый полупроводниковый диод, изготовленный из двух материалов одноатомной толщины

08.05.2017 Hi-tech

инженеры и Учёные Северо-Западного университета смогли сделать очередной громадный ход вперед в деле интеграции одноатомных материалов различного типа в единое целое для производства наноразмерной электроники.

Уровень миниатюризации современной электроники неспешно и неуклонно приближается к уровню отдельных атомов и молекул, давая слово появление в скором времени малогабаритных вычислительных совокупностей, владеющих огромной вычислительной мощностью, и потребительских электронных устройств, талантливых делать богатый комплект функций, каковые еще недавно имели возможность принимать во внимание чем-то из разряда научной фантастики. Все это делается вероятным благодаря исследованиям и созданию особенностей материалов одноатомной толщины, среди которых самыми известными являются углеродные нанотрубки, графен и дисульфид молибдена (молибденит). Но при попытке применения этих материалов в практических целях люди сталкиваются с проблемой, которая весьма не легко решается на сегодня, с проблемой объединения разнотипных материалов в обеспечения и единую структуру надежного электрического контакта между ними.Создан первый полупроводниковый диод, изготовленный из двух материалов одноатомной толщины

Исследователям Северо-Западного университета удалось сделать большой ход в деле интеграции одноатомных материалов различного типа в единое целое, что возможно будет с успехом применять в производстве наноразмерной электроники. Ученые, объединив малую часть пленки дисульфида молибдена с углеродной нанотрубкой, взяли p-n переход, складывающийся из двух типов полупроводникового материала.

Данный p-n переход есть полупроводниковым диодом, одним из главных компонентов современной электроники, лишь за счет применения в его конструкции материалов одноатомной толщины, данный диод владеет неповторимыми электрическими чертями, каковые совсем не характерны простым кремниевым диодам.

«P-n переход, т.е. полупроводниковый диод, употребляется фактически во всех чипах, производимых индустрией на сегодня» – пишут исследователи в статье, размещённой в издании Proceedings американской Национальной Академии Наук, – «При создании нового типа полупроводникового диода, изготовленного из материалов одноатомной толщины, мы не только добились успеха в создании самого диода, нам удалось создать электронный прибор, электрическими чертями которого возможно руководить посредством внешних сигналов. Мы ожидаем, что такие особенности нового полупроводникового прибора разрешат существенно увеличить функциональность электроники в целом».

Необходимо заметить, что

рвение к миниатюризации обусловило повышенный внимание ученых к материалам одноатомной толщины. Разные группы исследователей уже добились достаточно значимых удач в создании высокоэффективных и ультратонких электронных устройств из нескольких видов «плоских» материалов.

Но как это ни парадоксально, у ученых получалось разработка сложных электронных устройств, уровня транзистора и выше, а вот простой диод, состоящий всего из одного p-n перехода, им сделать не получалось.

Благодаря разработке диода из материалов одноатомной толщины в «тонкопленочную» сторону смогут пойти технологии изготовления солнечных батарей, светодиодов, лазеров и оптических датчиков, любая из которых возьмёт из этого собственные преимущества. В дополнение к его расширенной электронной функциональности новый диод очень чувствителен к свету. Это его свойство разрешило исследователям изготовить и показать работу ультраскоростного светочувствительного датчика, что возможно настроен на определенную длину волны света посредством внешнего электронного управления.

Случайные записи:

Лекция 14. Полупроводниковый диод


Похожие статьи, которые вам понравятся: