Битва чипмейкеров за освоение 22-нм техпроцесса

Не обращая внимания на то, что многие скептики уже достаточно давно предрекают смерть закону Мура – миниатюризация неимеетвозможности длиться вечно, и такими темпами, каковые выдерживаются сейчас – до тех пор пока закон, сформулированный около полувека назад, все еще честен.

Очередным этапом, разрешающим сказать о том, что и в ближайшие пара лет электроника будет развиваться по намеченному сценарию, есть освоение новейшей разработке изготовления интегральных микросхем с проектной нормой 22 нанометра.

Сейчас возможно выделить сходу пара «центров» развития разработки изготовления новейших полупроводниковых устройств. Первым есть компания IBM, с которой сотрудничают AMD и Freescale Semiconductor. Как раз им сейчас удалось создать микросхему статической памяти (SRAM), изготовленную по 22-нм техпроцессу. В этом случае ячейка памяти складывается из шести транзисторов с минимальной шириной затвора 22 нм.

Расстояние между двумя соседними транзисторами наряду с этим образовывает 90 нм. Эти цифры, по заверениям инженеров, на данный момент являются рекордно низкими, а как следствие, рекордно низкой оказывается и площадь ячейки статической памяти – всего лишь 0,09 кв. мкм. К сожалению, пока характеристики приобретаемых устройств не разрешают начать коммерческое использование разработки, например, говорится об низкой производительности.

Но на данном этапе изучений инженеры не использовали множество разработок, к примеру, разработку напряженного кремния, что позволяет для предстоящей оптимизации микросхем.

Вторым центром развития полупроводниковой индустрии есть компания Intel, которая первой выпустила на всемирный рынок 45-нм интегральные микросхемы, и, несомненно, первой совершит переход на 32-нм техпроцесс. Но, ведущий всемирный чипмейкер с уверенностью наблюдает в будущее – сотрудники компании ведут активную создание разработки изготовления 22-нм микросхем. Наряду с этим, главные параметры, такие как расстояние затвора и ширина транзисторов между ними, совершенно верно соответствуют параметрам, достигнутым инженерами IBM, AMD и Freescale Semiconductor.

С недавних пор к IBM с ее партнерами и компании Intel присоединилась и тайваньская компания TSMC, кроме этого собирающаяся стать одним из фаворитов в области разработки последних достижений науки и техники изготовления полупроводниковых устройств. Несколько лет назад представители тайваньского чипмейкера во всеуслышание заявили о разработке 32-нм техпроцесса, причем без применения таких новшеств, как higk-k-металлический затвор и диэлектрики.

Но, сравнительно не так давно TSMC заявила о «пропуске» этого этапа собственного развития, и перехода сходу к 28-нм техпроцессу. По всей видимости, TSMC уже создала первый прототип 28-нм статической памяти – применительно к ним приводятся следующие сведения: ширина затвора образовывает 24 нм, но наряду с этим рабочие токи выше, нежели для 32-нм устройств Intel. В октябре 2008 года компания объявила, что собирается начать серийный выпуск новейших микросхем уже в третьем квартале 2010 года.

Другими словами на доработку разработки у инженеров остается около полутора лет.

Что такое техпроцесс в смартфоне и на что он влияет? Как устроен процессор смартфона?

Похожие статьи, которые вам понравятся:

• Заряжаем электромобиль дома

  Пара автомобильных компаний (в частности, Ford, Mitsubishi и GM) разрабатывают и воображать на рынке все больше всецело электрических машин. На сегодня…

• Игры для пк без видеокарты

  В этом видео канала «PRO Hi-Tech» рассмотрены игры, в каковые возможно играть на пк без применения видеоплаты. Замечательные дискретные некуда не убегут,…

• Инженеры создали складной оригами-материал

  Инженеры из Гарвардского университета создали механический метаматериал с регулируемой формой, жёсткостью и объёмом. Об их разработке информирует статья,…