Графеновая память молекулярного размера может изменить «правила игры» в компьютерных технологиях

Несколько исследователей Rice University (Техас, США) поняла, что полоса графита толщиной всего в 10 атомов может служить основным элементом для нового типа памяти мини размеров, но огромной емкости.

Данные исследований размещены в интернет-издании издания Nature Materials (Electronic two-terminal bistable graphitic memories,– Yubao Li, Alexander SinitskiiJames M. Tour,– Nature Materials 7, 966 – 971 (2008). Published online: 16 November 2008 | doi:10.1038/nmat2331). Авторы, трудящиеся под управлением проф.

Джеймса Тура (James Tour), обрисовывают твердотельное устройство, которое применяет проводящие особенности графена и имеет много плюсов если сравнивать с существующими устройствами флеш-памяти и им подобными.

Джеймс Тур – проф. химии, информационных технологий и материаловедения

Графеновое запоминающее устройство (ЗУ) может расширить в пять раз количество памяти в двумерной матрице, потому, что одиночные биты смогут быть сделаны по размеру меньше 10 нм (сейчас во флеш-памяти применяют 45-нанометровые схемные разработки. Помимо этого, новые тумблеры смогут иметь два контакта, а не три, как это сейчас употребляется в аналогичных чипах. Двух контактное устройство делает трехмерную память более практичной, потому, что позволяет послойного наращивания графеновых матриц, что соответственно увеличивает количество памяти с каждым слоем.

Будучи практически механическим устройством, графеновые чипы фактически не будут потреблять энергии для поддержания данных- практически кроме этого, как электронные книги (Электронная книга «E-book device» – неспециализированное наименование группы узкоспециализированных компактных устройств, предназначенных для отображения текстовой информации, представленной в электронном виде).

Графеновая память выделяет мало тепла сама по себе и не зависит от трансформаций температуры окружающей среды. Опробования в широком температурном диапазоне – от минус 75 до более, чем плюс 200 градусов Цельсия не продемонстрировали каких-либо трансформаций функциональности. Это событие разрешает применять графеновые ЗУ в близи от процессоров, нагревающихся до больших температур.

Потому, что опробования показывают кроме этого и устойчивость графеновых ЗУ к радиации, то очень перспективным делается и их применение в экстремальных условиях.

Дополнительные опробования продемонстрировали, что графеновые затворы владеют высокой надежностью- по окончании 20 тыс. циклов не найдено понижения быстродействия (направляться подчернуть, что быстродействие графеновых устройств в опытах было выше, чем лабораторные средства имели возможность замерить, исходя из этого параметры надежности нуждаются в проверке). Предполагается, что ресурс графеновых ЗУ возможно весьма велик.

Очевидным преимуществом новых устройств есть то, что материал для их изготовления сейчас достаточно широко известен, являясь одной из разновидностей углерода; его возможно представить как одну плоскость графита, отделённую от объёмного кристалла.

Предлагаемая разработка уже привлекла к себе внимание индустрии. Несколько проф. Тура разрабатывает промышленную версию разработки, одним из вариантов которой есть химическое напыление в вакууме слоя графена на кремниевую либо иную подложку.

Второй вариант разработки предполагает выращивание графенового слоя прямо на месте.

Евгений Биргер

Случайные записи:

• Ученые впервые создали работоспособные электронные схемы при помощи искусственных эволюционных методов
• Ученые создали синтетическую бактерию с максимально короткой днк

Как делаются компьютерные и мобильные игры?

Похожие статьи, которые вам понравятся:

• Молекулярная память работает при комнатной температуре

  Интернациональная несколько исследователей под управлением Джагадеша Мудера (Jagadeesh Moodera) обрисовывает новую схему создания молекулярной памяти,…

• Созданы ячейки новой магнитной памяти, способные переключаться с рекордно высокой скоростью при помощи импульсов света

  Несколько исследователей из университета Миннесоты создала структуру и создала опытные образцы магнитного туннельного перехода, состояние которого…

• Создана лазерно-пузырьковая ручка, способная писать наночастицами, размером в 1 нанометр » dailytechinfo

  Исследователи из Техасского университета в Остине создали новую пузырьковую литографическую разработку (bubble-pen lithography), которая при помощи…

• Российские ученые ускорили сверхпроводящую память всотни раз

  Схематическое изображение контакта. S — сверхпроводник, I — барьер, F — феромагнетик, N — обычный металл, заштрихованная область — потенциальный барьер,…