Интересные темы:

Гаджеты

Немного интересного:

Молекулярная память работает при комнатной температуре

14.10.2015 Hi-tech

Интернациональная несколько исследователей под управлением Джагадеша Мудера (Jagadeesh Moodera) обрисовывает новую схему создания молекулярной памяти, действующий при температуре, близкой к температуре замерзания воды. Более того, в случае если для созданных схем нужно было поместить молекулы, хранящие данные, между двумя ферромагнитными электродами, для нового типа молекулярной памяти требуется лишь один ферромагнитный электрод.

Повышение емкости запоминающих устройств в полной мере возможно связать с законом Мура – удвоению количеству транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, каждые 24 месяца.

В случае если твёрдые диски примера 1980 года имели возможность хранить около половины мегабайта на квадратный дюйм собственной поверхности, Сейчас плотность информации достигает десятков гигабайт на квадратный дюйм.

Экспериментальная разработка, известна как молекулярная память, разрешающая применять для хранения данных отдельные молекулы, может тысячекратно расширить плотность информации, но существовавшие сейчас схемы устройства молекулярной памяти основывались на совокупностях, охлажденных до состояния, близкого к безотносительному нулю.Молекулярная память работает при комнатной температуре

Интернациональная несколько исследователей под управлением Джагадеша Мудера (Jagadeesh Moodera) обрисовывает новую схему создания молекулярной памяти, действующий при температуре, близкой к температуре замерзания воды. Более того, в случае если для созданных схем нужно было поместить молекулы, хранящие данные, между двумя ферромагнитными электродами, для нового типа молекулярной памяти требуется лишь один ферромагнитный электрод.

Рис. 1. Новые молекулы для молекулярной памяти
можно считать производными графена, потому, что они
складываются из плоских страниц углерода, которые связаны с атомами
цинка. Такое строение позволяет легко организовывать
их в ходе осаждения, что может упростить процесс
создания молекулярной памяти. (Рисунок из Nature, 2013,
493, 509).

Результаты изучения смогут существенно упростить создание устройств с молекулярной памятью – они складываются из плоских страниц углерода, которые связаны с атомами цинка и смогут посредством осаждения наносится весьма узкими слоями с регулярным размещением.

Для получения устройства – молекулярной памяти исследователи нанесли узкую пленку нового материала на ферромагнитный электрод и добавили второй ферромагнитный донный электрод – такая структура стандартна для магнитной памяти. Было предположено, что относительные трансформации магнитной ориентации электродов будут обстоятельством резкого трансформации проводимости устройства. Два состояния проводимости соответствуют состояниям 1 и 0 булевой логики.

Но, к собственному удивлению, исследователи замечали несколько, а два скачка проводимости. Это разрешило высказать предположение, что электроды изменяют проводимость устройства независимо друг от друга – с позиций простых представлений этого не должно было происходить.

Для подтверждения собственной предположения о свободной работе ферромагнитных электродов исследователи воспроизвели опыт, применяв лишь один ферромагнитный электрод и один простой железный электрод, единственной задачей которого было считывание тока, протекающего через молекулу. В этих условиях кроме этого наблюдался скачок проводимости.

Как поясняет Мудера, возможность трансформации проводимости молекулы в совокупности лишь с одним электродом может значительно упростить создание устройств молекулярной памяти. Донный электрод ячейки памяти возможно нанесен на плоскую поверхность, а молекулы, хранящие данные, смогут быть нанесены поверх электрода.

Случайные записи:

Биохимия памяти. Долговременная потенциация


Похожие статьи, которые вам понравятся:

Tags:  , , ,