Тончайшие пленки — очередной апгрейд современной электроники

Не обращая внимания на постоянную миниатюризацию современных интегральных микросхем – компания Intel на протяжении конференции ISSCC поведала публике о собственных будущих 32-нм продуктах – вечно процесс уменьшения размеров элементов, в особенности при кремниевой электроники, продолжаться неимеетвозможности. Это заставляет исследователей искать пути для уменьшения размеров транзисторов за счет новых материалов, и очередных удач в данной области добились сотрудники на данный момент Университета (University of Massachusetts Amherst). Кроме миниатюризации интегральных микросхем – размеры транзисторов могут быть уменьшены многократно если сравнивать с кремниевыми – их изучение разрешает расширить и скоростные показатели ИС.

Команда ученых под управлением Джереми Леви изготовила «нанотранзистор» на базе двух титаната стронция: алюмината и керамических материалов тантала. Изначально оба этих соединения являются изоляторами, но при соединении их между собой они становятся проводниками – хорошие носители заряда способны протекать через подобную структуру. Но, это еще не все – при помощи атомно-силовой микроскопии, приложением напряжения, исследователи получали формирования маленького проводящего мостика между двумя материалами, что потом легко разрушался при протекании заряда противоположного символа.

Совершенно верно такие же материалы смогут употребляться для транзисторов размером с отдельные атомы, а на их базе возможно вырабатывать интегральные микросхемы для вычислительных совокупностей, сенсоров хранения и устройств информации самого разного назначения, среди них и точных детекторов.

Фактически в один момент с сообщением о разработке новейших транзисторов сотрудниками Университета University of Massachusetts Amherst появились сведенья, что команде ученых из того же заведения вместе с сотрудниками Калифорнийского Университета Беркли (University of California Berkeley) удалось создать метод изготовления узких полупроводниковых пленок, разрешающих быстро повысить емкость современных устройств хранения информации.

Многие годы попыток создания аналогичных конструкций на базе полимеров не приводили к нужным итогам «благодаря» утрата материалом собственной структуры при растяжении на большую площадь. Дабы преодолеть эту трудность исследователи применяли особые гребенчатые материалы, трудящиеся как направляющие для полупроводниковых пленок.

В этом случае уже в полной мере вероятно приобретать структуру с нужными для исследователей особенностями, а основное, процесс их формирования очень несложен. На полупроводниковых пленках ученые сохраняют надежду создавать неповторимые по своим чертями устройства хранения информации, в много раз более емкие, нежели популярные сейчас оптические DVD-носители.

Александр Бакаткин

Случайные записи:

• Будущее корпоративных инноваций обсудят на iii московском корпоративном венчурном cаммите
• По полной программе. московскому университету выделено пять миллиардов рублей

Лучшее объяснение комплексных чисел. Математика. Катющик

Похожие статьи, которые вам понравятся:

• Графеновые пленки позволят создать гибкую электронику

  Доктор наук Бьюн Хе Хонг (Byung Hee Hong) из Передового университета нанотехнологий при Сункьюнкванском университете (Sungkyunkwan University) и врач…

• Скирмионы — новый способ создания спинтронных устройств магнитной записи и хранения информации

  Экзотические кольцевые магнитные образования, названные скирмионы, смогут стать базой для разработок энергонезависимой магнитной хранения и записи…

• Электроника для человеческого тела: 9 современных кибернетических улучшений

  Медицина сейчас существенно продвинулась в восстановлении людской тела и лечении таких неприятностей, как слепота, глухота и потерянные конечности….

• Новая технология сборки полимерной днк даст людям в руки самое миниатюрное хранилище данных в мире

  Исследователи из университета Чарльза Сэдрона (Institut Charles Sadron) и университета Эйкс-Марселле (Aix-Marseille Universite), Франция, создали новую…