Лазерно-интерференционная литография дает исключительно высокое разрешение и быстро

Лазерно-интерференционная литография (ЛИЛ) с применением лазеров высокой интенсивности предлагает достаточно простой и стоимостно действенный способ записи структур громадной площади с разрешением большое количество выше 5 нм без применения резиста и сложного многопереходного технологического процесса.

Фотографии (взяты посредством атомно-силового микроскопа) интерференционных структур с разрешением выше 5 нм, изготовленные способом ЛИЛ: а) Интерферограмма на подложке SiO2(5 nm)/GaAs – в точках 1,2, 3 изображения не найдено; b) SiO2 часть подвергнута селективному травлению – точках 2, 3 изображения не найдено; c) 15 nm GaAs подвергнута травлению.

Конечные пользователи литографических разработок в индустрии последнее время пара обескуражены замедлением темпов увеличения разрешения в способах нанолитографии. Главные обстоятельства этого лежат в неприемлемо большой стоимости разработки либо в неосуществимости контроля качества процессов в нанометровом диапазоне.

На сегодня существует достаточно ограниченное число литографических процессов для прямого формирования наноструктур, каковые включают в себя ионно-лучевую литографию, электронно-лучевую литографию и литография сканирующим пером. Всем из них характерна низкая скорость записи, требующая высокой механической и электрической стабильности совокупностей.

Исследователи считают, что ЛИЛ имеет все возможности стать главной разработкой в нанолитографии. Если сравнивать с соперничающими оптическими способами, ЛИЛ значительно выигрывает в разрешении, а при сравнении с другими способами лучевой литографии – в высокой эффективности и низкой стоимости. Лазерно-интерференционная литография имеет и хороший производственный потенциал, что принципиально важно для поддержания высокой скорости прогресса в данной области.

Результаты экспериментальных изучений, где интернациональная группа исследователей достигла требуемого качества наноструктур с подробностями менее 5 нм на полупроводниковых подложках, размещены в издании Nanotechnology (Ordered nanostructures written directly by laser interference).

На протяжении опыта были реализованы четырехлучевые интерференционные картины регулярных матриц отверстий в подложках из арсенида галлия (GaAs), покрытых пленкой диоксида кремния (SiO2). Картины записывали на подложки напрямую. Самая маленькая подробность была неразличима посредством атомно-силового микроскопа, имевшего разрешение 5 нм, а это показывает на то, что размер данной подробности изображения был меньше 5 нм. Длительность всего процесса изготовления наноструктуры в подложке, включая обработку изображения, составляла менее 5 мин.

Эти изучения процессов лазерно-интерференционной литографии осуществляются в ходе проекта European FP6 Project научно-исследовательских работ Development of lithography technology for nanoscale structuring of materials using laser beam interference (DELILA) под руководством и при финансировании Европейского Сообщества. В проекте принимают участие научно-исследовательские организации Финляндии, России, Англии, Испании, Франции. Неспециализированное управление работами осуществляет врач Шангси Пенг (Changsi Peng) из НИИ Оптоэлектроники Технологического Университета Тампере, Финляндия (Optoelectronics Research Centre – ORC, Tampere University of Technology, Tampere, Finland).

Евгений Биргер

Случайные записи:

• В сибири создали клуб бизнес-ангелов
• Ирниту в 2017 году получит более 10 миллионов рублей от минобрнауки на фундаментальные исследования

Интерференция света, 1977

Похожие статьи, которые вам понравятся:

• Высокое разрешение своими руками: пробуемhd

  Хард-камера: Сони HDR-SR1. Носитель: HDD, цена: 45 000 рублей какое количество ленте ни виться: Сони HDR-HC3. Носитель: кассеты miniDV, цена: 32 000…

• Нобелевскую премию по химии дали за флуоресцентную микроскопию высокого разрешения

  Работы Штефана Хелля, Эрика Бетцига и Уильяма Мернера разрешили рассмотреть в клетке отдельные молекулы. Дабы разглядеть клетку и её содержимое, мы…

• Разработчик лекарства от туберкулеза из «сколково» получил разрешение минздрава на клинические исследования

  Резидент инновационного центра «Сколково» компания «Инфектекс», созданная в 2011 г. с целью коммерциализации и развития инновационных разработок для…

• Конденсация бозе-эйнштейна в сверххолодных газах позволила создать сверхчувствительный магнетометр

  Несколько физиков из Университета Калифорнии в Беркли (University of California, Berkeley) создали устройство, которое способно измерять магнитные поля с…